半導(dǎo)體芯片、微電子器件各類功能薄膜的厚度管控，直接決定晶體管電學(xué)性能，柵氧層、鈍化層、光刻膠、介質(zhì)薄膜納米尺度波動(dòng)，極易造成漏電、閾值漂移、工藝良率下滑。傳統(tǒng)接觸式臺(tái)階儀極易劃傷晶圓表面，無法滿足精密制程需求。藍(lán)景 LJ-FT50 系列反射膜厚儀，基于白光干涉光譜反射原理，實(shí)現(xiàn)晶圓薄膜無損、高精度快速檢測(cè)，是半導(dǎo)體制程研發(fā)與產(chǎn)線質(zhì)控核心設(shè)備。

設(shè)備工作時(shí)，寬譜入射光抵達(dá)晶圓鍍膜表面，薄膜上下界面反射光形成干涉特征光譜；光譜模塊高速采集信號(hào)，依托優(yōu)化擬合算法解析膜層厚度與折射率，非接觸式測(cè)量方式，完整保護(hù)晶圓圖形化結(jié)構(gòu)與脆弱薄膜。LJ-FT50UV 氘鹵紫外機(jī)型覆蓋深紫外波段，特別適配超薄柵介質(zhì)、薄層光刻膠測(cè)量，可精準(zhǔn)識(shí)別 20nm 薄膜；最高 100Hz 采樣速率，滿足晶圓多點(diǎn) Mapping 掃描需求。整機(jī)抗振動(dòng)光學(xué)架構(gòu)，適配潔凈車間流水線復(fù)雜工況，重復(fù)精度穩(wěn)定至 0.05nm，保障批次數(shù)據(jù)一致性。

儀器提供彌散光斑與微米級(jí)聚焦光斑兩種探頭方案。彌散光斑適用于整片晶圓大面積均勻性篩查；200μm 聚焦光斑專門應(yīng)對(duì)芯片微區(qū)、分立器件局部薄膜點(diǎn)位檢測(cè)。探頭安裝方式靈活，體積輕便，既可放置于研發(fā)實(shí)驗(yàn)室開展工藝實(shí)驗(yàn)，也可搭配位移平臺(tái)集成真空鍍膜、涂膠產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)在線實(shí)時(shí)監(jiān)控。軟件支持自定義多層膜模型，能夠同步解析多層堆疊介質(zhì)膜結(jié)構(gòu)，完整記錄檢測(cè)數(shù)據(jù)，便于工藝追溯。

適用于硅基晶圓、第三代半導(dǎo)體 SiC/GaN 外延層、光刻膠、氧化硅、氮化硅鈍化膜等樣品檢測(cè)，覆蓋 CVD、PVD、旋涂光刻全流程工藝驗(yàn)證。藍(lán)景反射膜厚儀憑借寬量程、高分辨率、無損檢測(cè)優(yōu)勢(shì)，助力半導(dǎo)體企業(yè)精準(zhǔn)監(jiān)控鍍膜工藝參數(shù)，及時(shí)發(fā)現(xiàn)膜厚不均勻、沉積異常問題，穩(wěn)定提升芯片生產(chǎn)良率，支撐先進(jìn)微電子工藝持續(xù)迭代。